KIOXIA i Sandisk - Nowa technologia pamięci flash 3D

KIOXIA Europe GmbH oraz Sandisk Corporation zaprezentowały nowej generacji technologię pamięci flash 3D typu Quad-Level-Cell (QLC), która zapewnia wzrost gęstości bitowej nawet o 60% w porównaniu z technologią 8. generacji, przekraczając 37 Gb/mm² i wyznaczając branżowy standard w zakresie gęstości bitowej, wydajności i efektywności energetycznej. Wykorzystując rewolucyjną technologię CMOS directly Bonded to Array (CBA), w ramach której układ logiczny CMOS i macierz pamięci są wytwarzane na oddzielnych płytkach, a następnie łączone przy użyciu precyzyjnego wyrównywania płytek, nowa generacja zwiększaprzepustowość odczytu i zapisu w porównaniu z pamięcią flash 3D 8. generacji i staje się pierwszą w branży technologią pamięci flash 3D typu QLC, która osiąga prędkość 4.8 Gb/s



Dodatkowe usprawnienia interfejsu zwiększają energooszczędność transferu danych wejścia/wyjścia (I/O). Te znaczące usprawnienia w zakresie efektywności energetycznej bezpośrednio odpowiadają na wyzwania związane z poborem mocy i chłodzeniem we współczesnej infrastrukturze AI oraz chmurowej. Pamięć flash 3D typu QLC 10. generacji firmy KIOXIA odegra ważną rolę w obsłudze dynamicznego wzrostu ilości danych, umożliwiając większą efektywność pamięci masowej, wyższą pojemność oraz skalowalność infrastruktury AI przyszłej generacji.

Trening AI, wnioskowanie oraz obciążenia charakterystyczne dla hiperskalowych centrów danych powodują niespotykany dotąd wzrost generowania danych. W rezultacie branża pamięci masowych stoi przed coraz większym wyzwaniem dostarczania rozwiązań o większej pojemności, wyższej wydajności i zwiększonej efektywności energetycznej. Pamięć flash 3D typu QLC 10. generacji na nowo definiuje możliwości technologii NAND QLC, zapewniając jednocześnie większą gęstość, wyższą przepustowość i lepszą efektywność energetyczną. Rozwiązanie to wyznacza nowy kierunek dla wysokopojemnościowych pamięci flash i stanowi skalowalną podstawę dla aplikacji infrastruktury nowej generacji.

Oto najważniejsze cechy technologii pamięci flash 3D QLC 10. generacji:
- architektura 332‑warstwowa oraz zoptymalizowana konstrukcja układu zapewniają do 60% wzrost gęstości bitowej, osiągając wartość ponad 37 Gb/mm² w porównaniu z 8. generacją;
- interfejs NAND o przepustowości 4,8 Gb/s[3] oparty na technologii Toggle DDR6.0 i protokole Separate Command Address (SCA), pozwala w pełni wykorzystać potencjał szybkiego interfejsu;
- architektura CMOS directly Bonded to Array (CBA) poprawia skalowalność gęstości, wydajność i efektywność produkcji;
- technologia Power‑Isolated Low‑Tapped Termination (PI‑LTT) poprawia efektywność energetyczną transferu danych wejścia/wyjścia (I/O).