Intel @ 65nm

Intel ogłosił, że w fabryce Hillsboro, w stanie Oregon wyprodukował pierwszy, w pełni funkcjonalny układ SRAM w technologii 65nm (szerokość bramki tranzystora wynosi tylko 35nm). Pan Sunlin Chou, szef działu technologicznego zapowiedział już, że osiągnięcie to przedłuża funkcjonowanie prawa Moora o dalszych kilka lat. Pewnie tak, szczególnie biorąc pod uwagę, że w Intel ma w planach na rok 2007 dalsze obniżenie wymiaru do 45nm.
A jak wygląda najnowocześniejsza fabryka półprzewodników na świecie...

Nic specjalnego, prawda? W tym rzucie i FSO pewnie wygląda podobnie...