KIOXIA - próbki urządzeń z pamięcią BiCS FLASHTM 512 GB TLC 9. Gen
KIOXIA Europe ogłosiła, że rozpoczęła wysyłkę próbek urządzeń z pamięcią TLC (Triple-Level Cell) o pojemności 512 GB wykorzystujących technologię pamięci flash 3D BiCS FLASHTM 9. generacji. Rozpoczęcie masowej produkcji jest zaplanowane na rok fiskalny 2025. Urządzenia zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach wymagających wysokiej wydajności i niezrównanej efektywności energetycznej przy niskich do średnich pojemnościach. Zostaną również zintegrowane z dyskami SSD klasy korporacyjnej firmy KIOXIA, zwłaszcza tymi, które mają maksymalizować wydajność procesorów graficznych (GPU) w systemach sztucznej inteligencji.
KIOXIA kontynuuje realizację swojej dwuosiowej strategii, która ma odpowiadać na zróżnicowane potrzeby najnowocześniejszych zastosowań, jednocześnie dostarczając konkurencyjne produkty zapewniające optymalną wydajność inwestycji. Do tych dwóch osi należą:
- Produkty z pamięcią BiCS FLASH 9. generacji: osiągają wysoką wydajność przy obniżonych kosztach produkcji dzięki wykorzystaniu technologii CBA (CMOS directly Bonded to Array), która integruje istniejące technologie komórek pamięci z najnowszą technologią CMOS.
- Produkty z pamięcią BiCS FLASH 10. generacji: łączą rozszerzenie liczby warstw pamięci, aby sprostać spodziewanemu przyszłemu zapotrzebowaniu na rozwiązania o większej pojemności i wysokiej wydajności.
Nowa pamięć BiCS FLASHTM 512 Gb TLC 9. generacji, opracowana przy użyciu procesu łączenia 120 warstw w stosy opartego na technologii BiCS FLASH 5. generacji i zaawansowanej technologii CMOS, wykazuje znaczną poprawę parametrów w porównaniu z dotychczasowymi produktami BiCS FLASHTM firmy KIOXIA o tej samej pojemności 512 Gb. Wspomniana poprawa obejmuje:
- Wydajność zapisu: poprawa o 61%
- Wydajność odczytu: poprawa o 12%
- Wydajność energetyczna: zwiększona o 36% podczas operacji zapisu i o 27% podczas operacji odczytu
- Szybkość przesyłania danych: interfejs Toggle DDR6.0 zapewnia wysoką wydajność interfejsu NAND 3,6 Gb/s⁵
- Gęstość bitowa: zwiększona o 8% dzięki postępom w skalowaniu płaszczyznowym
Ponadto firma KIOXIA potwierdziła, że pamięć 512 Gb TLC działa z prędkościami interfejsu NAND do 4.8 Gb/s⁵ w warunkach demonstracyjnych. Gama produktów zostanie ustalona zgodnie z wymaganiami rynku.
"Zalety TLC w postaci większej gęstości pamięci masowej, efektywności kosztowej i wydajności oferowanej przez 9. generację pamięci flash BiCS FLASHTM 3D firmy KIOXIA będą dobrze pasować do urządzeń Internetu rzeczy i systemów wbudowanych w sektorze przemysłowym i motoryzacyjnym, gdzie najważniejszy jest koszt i pojemność. Zapewni również niedrogą pamięć masową o dużej pojemności za pośrednictwem usług przechowywania w chmurze i zadań wymagających dużego odczytu, takich jak AI i uczenie maszynowe" - dodaje Axel Störmann, wiceprezes i dyrektor ds. technologii pamięci i produktów SSD, KIOXIA Europe GmbH.
Firma KIOXIA działa na rzecz wzmocnienia globalnych partnerstw i dążenia do kolejnych innowacji, aby nadal dostarczać optymalne wyzwania spełniające różnorodne potrzeby jej klientów.
